Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB60R190C6ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6442807Obraz IPB60R190C6ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R190C6ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$1.70
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB60R190C6ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB60R190C6ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 630µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seria
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    190 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    151W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    IPB60R190C6
    IPB60R190C6ATMA1TR
    IPB60R190C6INTR
    IPB60R190C6INTR-ND
    SP000641916
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1400pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    63nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20.2A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB60R190C6ATMA1”.
IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R160P6ATMA1

IPB60R160P6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R199CPAATMA1

IPB60R199CPAATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R180P7ATMA1

IPB60R180P7ATMA1

Opis: MOSFET TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R299CPATMA1

IPB60R299CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R280P7ATMA1

IPB60R280P7ATMA1

Opis: MOSFET TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R190P6ATMA1

IPB60R190P6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R230P6ATMA1

IPB60R230P6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R165CPATMA1

IPB60R165CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R280P6ATMA1

IPB60R280P6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R250CPATMA1

IPB60R250CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R299CPAATMA1

IPB60R299CPAATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R280C6ATMA1

IPB60R280C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.