Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB160N04S4H1ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4107831Obraz IPB160N04S4H1ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB160N04S4H1ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$1.185
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB160N04S4H1ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB160N04S4H1ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 110µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO263-7-3
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.6 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    167W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Inne nazwy
    IPB160N04S4H1ATMA1TR
    SP000711252
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    10920pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    137nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 160A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB160N04S4H1ATMA1”.
IPB180N03S4LH0ATMA1

IPB180N03S4LH0ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB160N04S203ATMA1

IPB160N04S203ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 220V TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB16CN10N G

IPB16CN10N G

Opis: MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

Opis: MOSFET N-CH TO262-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.