Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB123N10N3GATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6721743Obraz IPB123N10N3GATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB123N10N3GATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$0.936
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB123N10N3GATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB123N10N3GATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 46µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    12.3 mOhm @ 46A, 10V
  • Strata mocy (max)
    94W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    IPB123N10N3 G
    IPB123N10N3 G-ND
    IPB123N10N3 GTR
    IPB123N10N3 GTR-ND
    IPB123N10N3G
    IPB123N10N3GATMA1TR
    SP000485968
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2500pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 58A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB123N10N3GATMA1”.
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

Opis: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

Opis: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB13N03LB G

IPB13N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB12CN10N G

IPB12CN10N G

Opis: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Opis: MOSFET P-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

Opis: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB13N03LB

IPB13N03LB

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.