Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB120N06S402ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5357439Obraz IPB120N06S402ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N06S402ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$1.113
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB120N06S402ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB120N06S402ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 140µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO263-3-2
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    188W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    IPB120N06S4-02
    IPB120N06S4-02-ND
    IPB120N06S402ATMA1TR
    SP000415560
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    15750pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    195nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB120N06S402ATMA1”.
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N06N G

IPB120N06N G

Opis: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N04S404ATMA1

IPB120N04S404ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N04S4L02ATMA1

IPB120N04S4L02ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120N06S402ATMA2

IPB120N06S402ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Opis: MOSFET P-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.