Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB039N10N3GE8187ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6433016Obraz IPB039N10N3GE8187ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$1.75
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB039N10N3GE8187ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB039N10N3GE8187ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 160µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO263-7
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    214W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • Inne nazwy
    IPB039N10N3 G E8187
    IPB039N10N3 G E8187-ND
    IPB039N10N3 G E8187TR-ND
    IPB039N10N3GE8187ATMA1TR
    SP000939340
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    8410pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    117nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB039N10N3GE8187ATMA1”.
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Opis: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Producenci: Infineon Technologies
Na stanie
RFQ
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.