Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB025N08N3GATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5739912Obraz IPB025N08N3GATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB025N08N3GATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.44
10+
$5.748
100+
$4.714
500+
$3.817
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB025N08N3GATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB025N08N3GATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 270µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    IPB025N08N3 GCT
    IPB025N08N3 GCT-ND
    IPB025N08N3GATMA1CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    14200pF @ 40V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    206nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    80V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 80V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB025N08N3GATMA1”.
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.