Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB010N06NATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5831932Obraz IPB010N06NATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB010N06NATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.92
10+
$7.069
100+
$5.797
500+
$4.694
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB010N06NATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB010N06NATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 280µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO263-7
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Inne nazwy
    IPB010N06N-ND
    IPB010N06NATMA1CT
    IPB010N06NCT
    IPB010N06NCT-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    15000pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    208nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 45A (Ta), 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    45A (Ta), 180A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB010N06NATMA1”.
IPB015N04NGATMA1

IPB015N04NGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB011N04NGATMA1

IPB011N04NGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB015N04LGATMA1

IPB015N04LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB011N04LGATMA1

IPB011N04LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB017N06N3GATMA1

IPB017N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB009N03LGATMA1

IPB009N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.