Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > IDY15S120XKSA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2719048

IDY15S120XKSA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IDY15S120XKSA1
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    7.5A (DC)
  • Napięcie - Podział
    PG-TO247HC-3
  • Seria
    thinQ!™
  • Stan RoHS
    Tube
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    375pF @ 1V, 1MHz
  • Polaryzacja
    TO-247-3 Variant
  • Inne nazwy
    IDY15S120
    IDY15S120-ND
    SP000797648
  • Temperatura pracy - złącze
    0ns
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    IDY15S120XKSA1
  • Rozszerzony opis
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 7.5A (DC) Through Hole PG-TO247HC-3
  • Diode Configuration
    180µA @ 1200V
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A TO247
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.8V @ 10A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    1200V (1.2kV)
  • Pojemność @ VR F
    -55°C ~ 150°C
UPS3200/TR13

UPS3200/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 3A 200V POWERMITE

Producenci: Microsemi
Na stanie
SF46G A0G

SF46G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
FGP10DHM3/73

FGP10DHM3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N3671A

1N3671A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RS3J M6G

RS3J M6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SR1504 A0G

SR1504 A0G

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 15A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N5395GHB0G

1N5395GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SS33HE3_A/I

SS33HE3_A/I

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
IDB10S60C

IDB10S60C

Opis: DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
CDBF0340-HF

CDBF0340-HF

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA 1005

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
JANTX1N6621US

JANTX1N6621US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
SS320 M6G

SS320 M6G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RURG30120

RURG30120

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
BAT42WS-7-F

BAT42WS-7-F

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES2CA-13

ES2CA-13

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
IDY10S120XKSA1

IDY10S120XKSA1

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO247HC

Producenci: Infineon Technologies
Na stanie
FESB16ATHE3/45

FESB16ATHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GKN240/16

GKN240/16

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
AS4PM-M3/87A

AS4PM-M3/87A

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 2.4A TO277

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść