Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSZ900N20NS3GATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5433932Obraz BSZ900N20NS3GATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ900N20NS3GATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.93
10+
$1.741
100+
$1.399
500+
$1.088
1000+
$0.901
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSZ900N20NS3GATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BSZ900N20NS3GATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 30µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TSDSON-8
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    90 mOhm @ 7.6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    62.5W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    BSZ900N20NS3GATMA1DKR
    BSZ900N20NS3GDKR
    BSZ900N20NS3GDKR-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    920pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    11.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 200V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    15.2A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSZ900N20NS3GATMA1”.
BSZ300N15NS5ATMA1

BSZ300N15NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ150N10LS3GATMA1

BSZ150N10LS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ215CHXTMA1

BSZ215CHXTMA1

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ165N04NSGATMA1

BSZ165N04NSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ146N10LS5ATMA1

BSZ146N10LS5ATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ16DN25NS3GATMA1

BSZ16DN25NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ180P03NS3GATMA1

BSZ180P03NS3GATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ520N15NS3GATMA1

BSZ520N15NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ130N03MSGATMA1

BSZ130N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ22DN20NS3GATMA1

BSZ22DN20NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ180P03NS3EGATMA1

BSZ180P03NS3EGATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ240N12NS3GATMA1

BSZ240N12NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ130N03LSGATMA1

BSZ130N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ42DN25NS3GATMA1

BSZ42DN25NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ340N08NS3GATMA1

BSZ340N08NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ440N10NS3GATMA1

BSZ440N10NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.