Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSZ100N06LS3GATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7066768Obraz BSZ100N06LS3GATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ100N06LS3GATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.14
10+
$1.01
100+
$0.798
500+
$0.619
1000+
$0.489
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSZ100N06LS3GATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.BSZ100N06LS3GATMA1.pdf
    2.BSZ100N06LS3GATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 23µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TSDSON-8
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.1W (Ta), 50W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • Inne nazwy
    BSZ100N06LS3GATMA1CT
    BSZ100N06LS3GINCT
    BSZ100N06LS3GINCT-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3500pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 11A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta), 20A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSZ100N06LS3GATMA1”.
BSZ097N10NS5ATMA1

BSZ097N10NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ123N08NS3GATMA1

BSZ123N08NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ105N04NSGATMA1

BSZ105N04NSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0994NSATMA1

BSZ0994NSATMA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ100N03MSGATMA1

BSZ100N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ120P03NS3EGATMA1

BSZ120P03NS3EGATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ110N08NS5ATMA1

BSZ110N08NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ097N04LSGATMA1

BSZ097N04LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ096N10LS5ATMA1

BSZ096N10LS5ATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ100N06NSATMA1

BSZ100N06NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0910NDXTMA1

BSZ0910NDXTMA1

Opis: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ130N03LSGATMA1

BSZ130N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ130N03MSGATMA1

BSZ130N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ110N06NS3GATMA1

BSZ110N06NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ100N03LSGATMA1

BSZ100N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0909NDXTMA1

BSZ0909NDXTMA1

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ099N06LS5ATMA1

BSZ099N06LS5ATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.