Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSG0811NDATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3814241Obraz BSG0811NDATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSG0811NDATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.67
10+
$2.411
100+
$1.938
500+
$1.507
1000+
$1.249
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSG0811NDATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BSG0811NDATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TISON-8
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3 mOhm @ 20A, 10V
  • Moc - Max
    2.5W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    BSG0811NDATMA1CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1100pF @ 12V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Cecha FET
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    25V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 41A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    19A, 41A

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSG0811NDATMA1”.
SP8K2FU6TB

SP8K2FU6TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
ALD1107SBL

ALD1107SBL

Opis: MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

Producenci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na stanie
RFQ
BSG0812NDATMA1

BSG0812NDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 8TISON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AUIRFN8458TR

AUIRFN8458TR

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AOP610

AOP610

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8DIP

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IRL6297SDTRPBF

IRL6297SDTRPBF

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
CSD87351ZQ5D

CSD87351ZQ5D

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
JANTX2N7334

JANTX2N7334

Opis: MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
DMGD7N45SSD-13

DMGD7N45SSD-13

Opis: MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDW2507NZ

FDW2507NZ

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
APTM20HM16FTG

APTM20HM16FTG

Opis: MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
NX3008NBKV,115

NX3008NBKV,115

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SI5933CDC-T1-GE3

SI5933CDC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BSG0813NDIATMA1

BSG0813NDIATMA1

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI7904DN-T1-E3

SI7904DN-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7946DP-T1-E3

SI7946DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
APTM20AM04FG

APTM20AM04FG

Opis: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.