Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSC196N10NSGATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4758846Obraz BSC196N10NSGATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC196N10NSGATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.37
10+
$1.209
100+
$0.956
500+
$0.741
1000+
$0.585
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSC196N10NSGATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BSC196N10NSGATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 42µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TDSON-8
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    19.6 mOhm @ 45A, 10V
  • Strata mocy (max)
    78W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    BSC196N10NS GCT
    BSC196N10NS GCT-ND
    BSC196N10NSGATMA1CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2300pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8.5A (Ta), 45A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSC196N10NSGATMA1”.
BSC150N03LDGATMA1

BSC150N03LDGATMA1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC350N20NSFDATMA1

BSC350N20NSFDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 35A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC205N10LS G

BSC205N10LS G

Opis: MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC320N20NS3GATMA1

BSC320N20NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC252N10NSFGATMA1

BSC252N10NSFGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC240N12NS3 G

BSC240N12NS3 G

Opis: MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC265N10LSFGATMA1

BSC265N10LSFGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC159N10LSFGATMA1

BSC159N10LSFGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC13DN30NSFDATMA1

BSC13DN30NSFDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC200P03LSGAUMA1

BSC200P03LSGAUMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC16DN25NS3GATMA1

BSC16DN25NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC22DN20NS3GATMA1

BSC22DN20NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC152N10NSFGATMA1

BSC152N10NSFGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC340N08NS3GATMA1

BSC340N08NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC160N15NS5ATMA1

BSC160N15NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 56A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC160N10NS3GATMA1

BSC160N10NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC360N15NS3GATMA1

BSC360N15NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC130P03LSGAUMA1

BSC130P03LSGAUMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.