Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSC080N03LSGATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4224794Obraz BSC080N03LSGATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC080N03LSGATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.86
10+
$0.752
100+
$0.58
500+
$0.43
1000+
$0.344
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSC080N03LSGATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BSC080N03LSGATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TDSON-8
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8 mOhm @ 30A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 35W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    BSC080N03LSGATMA1CT
    BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
    BSC080N03LSGINCT
    BSC080N03LSGINCT-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1700pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 14A (Ta), 53A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    14A (Ta), 53A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSC080N03LSGATMA1”.
BSC077N12NS3GATMA1

BSC077N12NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC084P03NS3EGATMA1

BSC084P03NS3EGATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC072N025S G

BSC072N025S G

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC0902NSATMA1

BSC0902NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC080P03LSGAUMA1

BSC080P03LSGAUMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC070N10NS3GATMA1

BSC070N10NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC084P03NS3GATMA1

BSC084P03NS3GATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC079N10NSGATMA1

BSC079N10NSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC072N08NS5ATMA1

BSC072N08NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC085N025S G

BSC085N025S G

Opis: MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC072N03LDGATMA1

BSC072N03LDGATMA1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC079N03SG

BSC079N03SG

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC079N03LSCGATMA1

BSC079N03LSCGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC0901NSATMA1

BSC0901NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC080N03MSGATMA1

BSC080N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC0901NSIATMA1

BSC0901NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC082N10LSGATMA1

BSC082N10LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC076N06NS3GATMA1

BSC076N06NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.