Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSC046N02KS G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3175902Obraz BSC046N02KS G.Infineon Technologies

BSC046N02KS G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$0.469
10000+
$0.451
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSC046N02KS G
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BSC046N02KS G.pdf
  • Napięcie - Test
    4100pF @ 10V
  • Napięcie - Podział
    PG-TDSON-8
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
  • Vgs (maks.)
    2.5V, 4.5V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    OptiMOS™
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    19A (Ta), 80A (Tc)
  • Polaryzacja
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    BSC046N02KS G-ND
    BSC046N02KS GTR
    BSC046N02KSG
    BSC046N02KSGAUMA1
    SP000379666
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Numer części producenta
    BSC046N02KS G
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    27.6nC @ 4.5V
  • Rodzaj IGBT
    ±12V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.2V @ 110µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20V
  • Stosunek pojemności
    2.8W (Ta), 48W (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSC046N02KS G”.
BSC0503NSIATMA1

BSC0503NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC050N03LSGATMA1

BSC050N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC047N08NS3GATMA1

BSC047N08NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC042NE7NS3GATMA1

BSC042NE7NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC037N08NS5ATMA1

BSC037N08NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Producenci: Infineon Technologies
Na stanie
RFQ
BSC0504NSIATMA1

BSC0504NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC037N025S G

BSC037N025S G

Opis: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC042N03S G

BSC042N03S G

Opis: MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC042N03LSGATMA1

BSC042N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC0502NSIATMA1

BSC0502NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC0500NSIATMA1

BSC0500NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC042N03MSGATMA1

BSC042N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC046N10NS3GATMA1

BSC046N10NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC040N10NS5ATMA1

BSC040N10NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC040N08NS5ATMA1

BSC040N08NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC042N03ST

BSC042N03ST

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC050N03MSGATMA1

BSC050N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC048N025S G

BSC048N025S G

Opis: MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.