Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSC030P03NS3GAUMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
419644Obraz BSC030P03NS3GAUMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC030P03NS3GAUMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$1.108
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSC030P03NS3GAUMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BSC030P03NS3GAUMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.1V @ 345µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TDSON-8
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3 mOhm @ 50A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 125W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    BSC030P03NS3 G
    BSC030P03NS3 G-ND
    BSC030P03NS3 GTR-ND
    BSC030P03NS3G
    BSC030P03NS3GAUMA1TR
    SP000442470
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    14000pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    186nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 25.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    25.4A (Ta), 100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSC030P03NS3GAUMA1”.
BSC030N03LSGATMA1

BSC030N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC034N06NSATMA1

BSC034N06NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC027N04LSGATMA1

BSC027N04LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC034N03LSGATMA1

BSC034N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC032N03SG

BSC032N03SG

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC030N03MSGATMA1

BSC030N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC035N04LSGATMA1

BSC035N04LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC028N06NSATMA1

BSC028N06NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8

Producenci: Infineon Technologies
Na stanie
RFQ
BSC032N03S

BSC032N03S

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC035N10NS5ATMA1

BSC035N10NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC030N04NSGATMA1

BSC030N04NSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC030N08NS5ATMA1

BSC030N08NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC028N06LS3GATMA1

BSC028N06LS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC027N06LS5ATMA1

BSC027N06LS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC028N06NSTATMA1

BSC028N06NSTATMA1

Opis: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC029N025S G

BSC029N025S G

Opis: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC031N06NS3GATMA1

BSC031N06NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC036NE7NS3GATMA1

BSC036NE7NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC032NE2LSATMA1

BSC032NE2LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.