Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSC018NE2LSIATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
189110Obraz BSC018NE2LSIATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC018NE2LSIATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.66
10+
$1.469
100+
$1.161
500+
$0.90
1000+
$0.711
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSC018NE2LSIATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BSC018NE2LSIATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TDSON-8
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.8 mOhm @ 30A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    BSC018NE2LSIATMA1CT
    BSC018NE2LSICT
    BSC018NE2LSICT-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2500pF @ 12V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    25V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 25V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    29A (Ta), 100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSC018NE2LSIATMA1”.
BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1

Opis: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC019N02KSGAUMA1

BSC019N02KSGAUMA1

Opis: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Opis: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1

Opis: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC022N03S

BSC022N03S

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC020N025S G

BSC020N025S G

Opis: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC019N04LSTATMA1

BSC019N04LSTATMA1

Opis: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC020N03LSGATMA2

BSC020N03LSGATMA2

Opis: LV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC016N04LSGATMA1

BSC016N04LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC020N03MSGATMA1

BSC020N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC016N03LSGATMA1

BSC016N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC019N04NSGATMA1

BSC019N04NSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC016N03MSGATMA1

BSC016N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.