Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > UGE1112AY4
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1108778Obraz UGE1112AY4.IXYS Corporation

UGE1112AY4

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$57.15
10+
$53.792
25+
$50.43
100+
$48.077
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UGE1112AY4
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    UGE1112AY4.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    6.25V @ 7A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    8000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    UGE
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    UGE
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 8000V 4.2A Chassis Mount UGE
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1mA @ 8000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    4.2A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    UGE

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „UGE1112AY4”.
SS110L M2G

SS110L M2G

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UGE8JT-E3/45

UGE8JT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UGE18DCT-E3/45

UGE18DCT-E3/45

Opis: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UGE0221AY4

UGE0221AY4

Opis: DIODE GEN PURP 4.8KV 10.2A UGE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
UGE8HT-E3/45

UGE8HT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UGE0421AY4

UGE0421AY4

Opis: DIODE GEN PURP 3.2KV 22.9A UGE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
UGE3126AY4

UGE3126AY4

Opis: DIODE GEN PURP 24KV 2A UGE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
SB320-E3/73

SB320-E3/73

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UGE18CCT-E3/45

UGE18CCT-E3/45

Opis: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4933GHB0G

1N4933GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UGE10DCT-E3/45

UGE10DCT-E3/45

Opis: DIODE 10A 200V 20NS TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SB3H90-E3/73

SB3H90-E3/73

Opis: DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4936GP-E3/73

1N4936GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UGE5JT-E3/45

UGE5JT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UGE5HT-E3/45

UGE5HT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UGE10CCT-E3/45

UGE10CCT-E3/45

Opis: DIODE 10A 150V 20NS TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4004GPEHE3/73

1N4004GPEHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MBRH240200R

MBRH240200R

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 240A D67

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
BYV13-TR

BYV13-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
HER207G A0G

HER207G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.