Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTY01N100D
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1640246

IXTY01N100D

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.85
70+
$2.30
140+
$2.07
560+
$1.61
1050+
$1.334
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTY01N100D
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXTY01N100D.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252, (D-Pak)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    110 Ohm @ 50mA, 0V
  • Strata mocy (max)
    1.1W (Ta), 25W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    120pF @ 25V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Depletion Mode
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100mA (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXTY01N100D”.
IXTY02N50D TRL

IXTY02N50D TRL

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY08N100D2

IXTY08N100D2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTX90N25L2

IXTX90N25L2

Opis: MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTX550N055T2

IXTX550N055T2

Opis: MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTX90P20P

IXTX90P20P

Opis: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY10P15T

IXTY10P15T

Opis: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTX4N300P3HV

IXTX4N300P3HV

Opis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTX6N200P3HV

IXTX6N200P3HV

Opis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTX60N50L2

IXTX60N50L2

Opis: MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTX600N04T2

IXTX600N04T2

Opis: MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY02N120P

IXTY02N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY01N100

IXTY01N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY01N80

IXTY01N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY02N50D

IXTY02N50D

Opis: MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY06N120P

IXTY06N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTX5N250

IXTX5N250

Opis: MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTX8N150L

IXTX8N150L

Opis: MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY08N100P

IXTY08N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY08N120P

IXTY08N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY08N50D2

IXTY08N50D2

Opis: MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.