Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTU02N50D
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1575127Obraz IXTU02N50D.IXYS Corporation

IXTU02N50D

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
75+
$3.234
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTU02N50D
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXTU02N50D.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 25µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-251
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    30 Ohm @ 50mA, 0V
  • Strata mocy (max)
    1.1W (Ta), 25W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    120pF @ 25V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Depletion Mode
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200mA (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXTU02N50D”.
IXTU01N100D

IXTU01N100D

Opis: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU12N06T

IXTU12N06T

Opis: MOSFET N-CH 60V 12A TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU1R4N60P

IXTU1R4N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU05N120

IXTU05N120

Opis: MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU44N10T

IXTU44N10T

Opis: MOSFET N-CH 100V 44A TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT96N20P

IXTT96N20P

Opis: MOSFET N-CH 200V 96A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU2N80P

IXTU2N80P

Opis: MOSFET N-CH TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU06N120P

IXTU06N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU01N80

IXTU01N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU50N085T

IXTU50N085T

Opis: MOSFET N-CH 85V 50A TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT96N15P

IXTT96N15P

Opis: MOSFET N-CH 150V 96A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT82N25P

IXTT82N25P

Opis: MOSFET N-CH 250V 82A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT88N30P

IXTT88N30P

Opis: MOSFET N-CH 300V 88A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU05N100

IXTU05N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU55N075T

IXTU55N075T

Opis: MOSFET N-CH 75V 55A TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT90P10P

IXTT90P10P

Opis: MOSFET P-CH 100V 90A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT88N15

IXTT88N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 88A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU01N100

IXTU01N100

Opis: MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT8P50

IXTT8P50

Opis: MOSFET P-CH 500V 8A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTU08N100P

IXTU08N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.