Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTT12N150
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5449246Obraz IXTT12N150.IXYS Corporation

IXTT12N150

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$11.063
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTT12N150
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXTT12N150.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-268
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2 Ohm @ 6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    890W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3720pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    106nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1500V 12A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXTT12N150”.
IXTT16N20D2

IXTT16N20D2

Opis: MOSFET N-CH 200V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT120N15P

IXTT120N15P

Opis: MOSFET N-CH 150V 120A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT10N100D2

IXTT10N100D2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT110N10P

IXTT110N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT10N100D

IXTT10N100D

Opis: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT12N140

IXTT12N140

Opis: MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT16P60P

IXTT16P60P

Opis: MOSFET P-CH 600V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT10P50

IXTT10P50

Opis: MOSFET P-CH 500V 10A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT110N10L2

IXTT110N10L2

Opis: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT10P60

IXTT10P60

Opis: MOSFET P-CH 600V 10A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

Opis: MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT1N100

IXTT1N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

Opis: MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT140N10P

IXTT140N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT170N10P

IXTT170N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT16P20

IXTT16P20

Opis: MOSFET P-CH 200V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT16N50D2

IXTT16N50D2

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT11P50

IXTT11P50

Opis: MOSFET P-CH 500V 11A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT140P10T

IXTT140P10T

Opis: MOSFET P-CH 100V 140A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT100N25P

IXTT100N25P

Opis: MOSFET N-CH 250V 100A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.