Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTM50N20
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
215745

IXTM50N20

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTM50N20
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    POWER MOSFET TO-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-204AE
  • Seria
    GigaMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    45 mOhm @ 25A, 10V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Package / Case
    TO-204AE
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4600pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 200V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)
IXTM67N10

IXTM67N10

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM9226

IXTM9226

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM1712

IXTM1712

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM5N100

IXTM5N100

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM1316

IXTM1316

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM21N50L

IXTM21N50L

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM1630

IXTM1630

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTN120P20T

IXTN120P20T

Opis: MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM40N30

IXTM40N30

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM12N100

IXTM12N100

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM24N50L

IXTM24N50L

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM11P50

IXTM11P50

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTN120N25

IXTN120N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Opis: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM15N60

IXTM15N60

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM5N100A

IXTM5N100A

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM35N30

IXTM35N30

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTM6N90A

IXTM6N90A

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTN170P10P

IXTN170P10P

Opis: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTN110N20L2

IXTN110N20L2

Opis: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść