Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTM11N80
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6040504

IXTM11N80

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTM11N80
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    POWER MOSFET TO-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-204AA
  • Seria
    GigaMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    950 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Package / Case
    TO-204AA, TO-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    170nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXTM11N80”.
IXTM11P50

IXTM11P50

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTM15N60

IXTM15N60

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTM40N30

IXTM40N30

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTM24N50L

IXTM24N50L

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTM1712

IXTM1712

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTK90N25L2

IXTK90N25L2

Opis: MOSFET N-CH 250V 90A TO-264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTL2N450

IXTL2N450

Opis: MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTL2N470

IXTL2N470

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTM10P60

IXTM10P60

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTL2X200N085T

IXTL2X200N085T

Opis: MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTK90N15

IXTK90N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 90A TO-264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTK90P20P

IXTK90P20P

Opis: MOSFET P-CH 200V 90A TO-264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTM1316

IXTM1316

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTM21N50L

IXTM21N50L

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTM1630

IXTM1630

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTM12N100

IXTM12N100

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTL2X240N055T

IXTL2X240N055T

Opis: MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTL2X220N075T

IXTL2X220N075T

Opis: MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTL2X180N10T

IXTL2X180N10T

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTM35N30

IXTM35N30

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.