Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTD4N80P-3J
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5327790

IXTD4N80P-3J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTD4N80P-3J
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 100µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die
  • Seria
    PolarHV™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    100W (Tc)
  • Package / Case
    Die
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    750pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    14.2nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount Die
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.6A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXTD4N80P-3J”.
IXTE250N10

IXTE250N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTD2N60P-1J

IXTD2N60P-1J

Opis: MOSFET N-CH 600

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTF02N450

IXTF02N450

Opis: MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTC75N10

IXTC75N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTF250N075T

IXTF250N075T

Opis: MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTF03N400

IXTF03N400

Opis: MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTD5N100A

IXTD5N100A

Opis: MOSFET N-CH 1000V 5A DIE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTF1R4N450

IXTF1R4N450

Opis: 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTF1N400

IXTF1N400

Opis: MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTC280N055T

IXTC280N055T

Opis: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTD3N60P-2J

IXTD3N60P-2J

Opis: MOSFET N-CH 600

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTC72N30T

IXTC72N30T

Opis: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTF1N450

IXTF1N450

Opis: MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTD3N50P-2J

IXTD3N50P-2J

Opis: MOSFET N-CH 500

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTF200N10T

IXTF200N10T

Opis: MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTF230N085T

IXTF230N085T

Opis: MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTC36P15P

IXTC36P15P

Opis: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTC62N15P

IXTC62N15P

Opis: MOSFET N-CH ISOPLUS-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTD1R4N60P 11

IXTD1R4N60P 11

Opis: MOSFET N-CH 600V

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTC26N50P

IXTC26N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.