Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTA90N075T2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1528497Obraz IXTA90N075T2.IXYS Corporation

IXTA90N075T2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
50+
$2.386
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTA90N075T2
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 75V 90A TO-263
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263 (IXTA)
  • Seria
    TrenchT2™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10 mOhm @ 25A, 10V
  • Strata mocy (max)
    180W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3290pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    54nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    75V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 75V 90A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)
IXTA88N085T

IXTA88N085T

Opis: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA8PN50P

IXTA8PN50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTC102N20T

IXTC102N20T

Opis: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTB30N100L

IXTB30N100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA80N12T2

IXTA80N12T2

Opis: MOSFET N-CH 120V 80A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA90N055T2

IXTA90N055T2

Opis: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA98N075T7

IXTA98N075T7

Opis: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA96P085TTRL

IXTA96P085TTRL

Opis: MOSFET P-CH 85V 96A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA8N50P

IXTA8N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTC110N25T

IXTC110N25T

Opis: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA96P085T

IXTA96P085T

Opis: MOSFET P-CH 85V 96A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA80N10T7

IXTA80N10T7

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA90N055T

IXTA90N055T

Opis: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA88N085T7

IXTA88N085T7

Opis: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA98N075T

IXTA98N075T

Opis: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA8N65X2

IXTA8N65X2

Opis: MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA86N20T

IXTA86N20T

Opis: MOSFET N-CH 200V 86A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTC102N25T

IXTC102N25T

Opis: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTA90N15T

IXTA90N15T

Opis: MOSFET N-CH 150V 90A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTB62N50L

IXTB62N50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść