Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTA1N120P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
542230Obraz IXTA1N120P.IXYS Corporation

IXTA1N120P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
50+
$3.312
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTA1N120P
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXTA1N120P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263 (IXTA)
  • Seria
    PolarVHV™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    20 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    63W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    550pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    17.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1200V 1A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXTA1N120P”.
IXTA182N055T7

IXTA182N055T7

Opis: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2

Opis: MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA200N055T2

IXTA200N055T2

Opis: MOSFET N-CH 55V 200A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA200N075T

IXTA200N075T

Opis: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA1N80

IXTA1N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA182N055T

IXTA182N055T

Opis: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA180N055T

IXTA180N055T

Opis: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA180N085T

IXTA180N085T

Opis: MOSFET N-CH 85V 180A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

Opis: MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA180N10T7

IXTA180N10T7

Opis: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA1N100

IXTA1N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV

Opis: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA1N100P

IXTA1N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA18P10T

IXTA18P10T

Opis: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA180N085T7

IXTA180N085T7

Opis: MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA180N10T

IXTA180N10T

Opis: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.