Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTA08N100D2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6014980Obraz IXTA08N100D2.IXYS Corporation

IXTA08N100D2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.14
50+
$1.725
100+
$1.553
500+
$1.208
1000+
$1.001
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTA08N100D2
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXTA08N100D2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263 (IXTA)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    21 Ohm @ 400mA, 0V
  • Strata mocy (max)
    60W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    325pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    14.6nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Depletion Mode
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    800mA (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXTA08N100D2”.
IXTA110N055T

IXTA110N055T

Opis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA05N100HV

IXTA05N100HV

Opis: MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA10P50P

IXTA10P50P

Opis: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA02N250HV

IXTA02N250HV

Opis: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA110N055P

IXTA110N055P

Opis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

Opis: MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA05N100

IXTA05N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXT-1-1N100S1

IXT-1-1N100S1

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA110N055T2

IXTA110N055T2

Opis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA102N15T

IXTA102N15T

Opis: MOSFET N-CH 150V 102A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA06N120P

IXTA06N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXT-1-1N100S1-TR

IXT-1-1N100S1-TR

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA08N100P

IXTA08N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA02N250

IXTA02N250

Opis: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA02N450HV

IXTA02N450HV

Opis: MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA100N04T2

IXTA100N04T2

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA10P50PTRL

IXTA10P50PTRL

Opis: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA08N120P

IXTA08N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTA10N60P

IXTA10N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.