Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFT20N80Q
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1346048Obraz IXFT20N80Q.IXYS Corporation

IXFT20N80Q

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFT20N80Q
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXFT20N80Q.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 4mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-268
  • Seria
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    420 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    360W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5100pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    200nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 20A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXFT20N80Q”.
IXFT24N50Q

IXFT24N50Q

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT24N90P

IXFT24N90P

Opis: MOSFET N-CH TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT21N50Q

IXFT21N50Q

Opis: MOSFET N-CH 500V 21A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT17N80Q

IXFT17N80Q

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3)

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT1874 TR

IXFT1874 TR

Opis: MOSFET N-CH TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT170N25X3HV

IXFT170N25X3HV

Opis: MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT180N20X3HV

IXFT180N20X3HV

Opis: 200V/180A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT20N60Q

IXFT20N60Q

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT23N80Q

IXFT23N80Q

Opis: MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT24N80P

IXFT24N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 24A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT26N50Q

IXFT26N50Q

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT26N50

IXFT26N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT23N60Q

IXFT23N60Q

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT220N20X3HV

IXFT220N20X3HV

Opis: 200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT18N90P

IXFT18N90P

Opis: MOSFET N-CH 900V 18A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT20N100P

IXFT20N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT16N90Q

IXFT16N90Q

Opis: MOSFET N-CH 900V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT20N80P

IXFT20N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 20A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT24N50

IXFT24N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.