Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFT14N100
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1360478Obraz IXFT14N100.IXYS Corporation

IXFT14N100

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFT14N100
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXFT14N100.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 4mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-268
  • Seria
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    750 mOhm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    360W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 14A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXFT14N100”.
IXFT140N10P

IXFT140N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT12N90Q

IXFT12N90Q

Opis: MOSFET N-CH 900V 12A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT12N100Q

IXFT12N100Q

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT12N100

IXFT12N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT150N25X3HV

IXFT150N25X3HV

Opis: 250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT16N80P

IXFT16N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT150N30X3HV

IXFT150N30X3HV

Opis: 300V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT13N80Q

IXFT13N80Q

Opis: MOSFET N-CH 800V 13A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT15N80Q

IXFT15N80Q

Opis: MOSFET N-CH 800V 15A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT150N17T2

IXFT150N17T2

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT16N120P

IXFT16N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT12N100F

IXFT12N100F

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXFT15N100Q3

IXFT15N100Q3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT120N30X3HV

IXFT120N30X3HV

Opis: 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT120N25X3HV

IXFT120N25X3HV

Opis: 250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT14N80P

IXFT14N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 14A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT140N20X3HV

IXFT140N20X3HV

Opis: 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT150N20T

IXFT150N20T

Opis: MOSFET N-CH 200V 150A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT15N100Q

IXFT15N100Q

Opis: MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFT13N100

IXFT13N100

Opis: MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.