Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFR44N80P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6957012Obraz IXFR44N80P.IXYS Corporation

IXFR44N80P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$15.935
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFR44N80P
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOPLUS247™
  • Seria
    HiPerFET™, PolarHT™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    200 mOhm @ 22A, 10V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    ISOPLUS247™
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    26 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    12000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    200nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 25A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)
IXFR48N60Q3

IXFR48N60Q3

Opis: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR50N50

IXFR50N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR44N60

IXFR44N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR48N50Q

IXFR48N50Q

Opis: MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR40N90P

IXFR40N90P

Opis: MOSFET N-CH ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR44N50Q

IXFR44N50Q

Opis: MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR64N50Q3

IXFR64N50Q3

Opis: MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR55N50

IXFR55N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR40N50Q2

IXFR40N50Q2

Opis: MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR44N50Q3

IXFR44N50Q3

Opis: MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR34N80

IXFR34N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR4N100Q

IXFR4N100Q

Opis: MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR64N50P

IXFR64N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR36N50P

IXFR36N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR52N30Q

IXFR52N30Q

Opis: MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR36N60P

IXFR36N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR44N50P

IXFR44N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR58N20

IXFR58N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR48N60P

IXFR48N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR38N80Q2

IXFR38N80Q2

Opis: MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść