Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFR200N10P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6752427Obraz IXFR200N10P.IXYS Corporation

IXFR200N10P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$12.297
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFR200N10P
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOPLUS247™
  • Seria
    HiPerFET™, PolarP2™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    9 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    ISOPLUS247™
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    26 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7600pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    235nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 133A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    133A (Tc)
IXFR180N10

IXFR180N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR20N80Q

IXFR20N80Q

Opis: MOSFET N-CH ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR230N20T

IXFR230N20T

Opis: MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR16N120P

IXFR16N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR180N06

IXFR180N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR21N100Q

IXFR21N100Q

Opis: MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR24N100Q3

IXFR24N100Q3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR24N50

IXFR24N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR24N100

IXFR24N100

Opis: MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR20N120P

IXFR20N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR180N15P

IXFR180N15P

Opis: MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR20N80P

IXFR20N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR180N07

IXFR180N07

Opis: MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR15N80Q

IXFR15N80Q

Opis: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR20N100P

IXFR20N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR16N80P

IXFR16N80P

Opis: MOSFET N-CH ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR16N90Q

IXFR16N90Q

Opis: MOSFET N-CH ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR21N50Q

IXFR21N50Q

Opis: MOSFET N-CH ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR180N085

IXFR180N085

Opis: MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFR18N90P

IXFR18N90P

Opis: MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść