Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFN82N60P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2754217Obraz IXFN82N60P.IXYS Corporation

IXFN82N60P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$29.04
10+
$26.862
30+
$24.684
100+
$22.942
250+
$21.054
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFN82N60P
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227B
  • Seria
    PolarHV™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    75 mOhm @ 41A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1040W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    23000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    240nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 72A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    72A (Tc)
IXFP12N50PM

IXFP12N50PM

Opis: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN90N30

IXFN90N30

Opis: MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN73N30

IXFN73N30

Opis: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3

Opis: MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN72N55Q2

IXFN72N55Q2

Opis: MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN80N48

IXFN80N48

Opis: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN80N60P3

IXFN80N60P3

Opis: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN94N50P2

IXFN94N50P2

Opis: 500V POLAR2 HIPERFETS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN73N30Q

IXFN73N30Q

Opis: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN80N50

IXFN80N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN90N85X

IXFN90N85X

Opis: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2

Opis: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN80N50P

IXFN80N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFP12N50P

IXFP12N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFP110N15T2

IXFP110N15T2

Opis: MOSFET N-CH 150V 110A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFP10N60P

IXFP10N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFP102N15T

IXFP102N15T

Opis: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFP10N80P

IXFP10N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 10A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

Opis: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść