Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFE36N100
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2033697Obraz IXFE36N100.IXYS Corporation

IXFE36N100

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10+
$46.07
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFE36N100
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXFE36N100.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 8mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227B
  • Seria
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    240 mOhm @ 18A, 10V
  • Strata mocy (max)
    580W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    15000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    455nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 33A (Tc) 580W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    33A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXFE36N100”.
IXFE180N10

IXFE180N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE24N100

IXFE24N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFD80N10Q-8XQ

IXFD80N10Q-8XQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 100V DIE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE48N50QD3

IXFE48N50QD3

Opis: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE50N50

IXFE50N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFD26N60Q-8XQ

IXFD26N60Q-8XQ

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE48N50QD2

IXFE48N50QD2

Opis: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE44N50Q

IXFE44N50Q

Opis: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE55N50

IXFE55N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFD80N20Q-8XQ

IXFD80N20Q-8XQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 200V DIE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE180N20

IXFE180N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE44N60

IXFE44N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE34N100

IXFE34N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFD28N50Q-72

IXFD28N50Q-72

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE39N90

IXFE39N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE44N50QD3

IXFE44N50QD3

Opis: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE48N50Q

IXFE48N50Q

Opis: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE44N50QD2

IXFE44N50QD2

Opis: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFD40N30Q-72

IXFD40N30Q-72

Opis: MOSFET N-CHANNEL 300V DIE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFE23N100

IXFE23N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.