Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > IXDH35N60BD1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3650942Obraz IXDH35N60BD1.IXYS Corporation

IXDH35N60BD1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$6.866
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXDH35N60BD1
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 60A 250W TO247AD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXDH35N60BD1.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.7V @ 15V, 35A
  • Stan testu
    300V, 35A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    -
  • Przełączanie Energy
    1.6mJ (on), 800µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247AD (IXDH)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    40ns
  • Moc - Max
    250W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3P-3 Full Pack
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    120nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 600V 60A 250W Through Hole TO-247AD (IXDH)
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    70A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    60A
  • Podstawowy numer części
    IXD*35N60

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXDH35N60BD1”.
IXDI409CI

IXDI409CI

Opis: IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDI402SIA

IXDI402SIA

Opis: IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDI404SIA

IXDI404SIA

Opis: IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDI402SI

IXDI402SI

Opis: IC MOSFET DRIVER LS 2A 8SOIC

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDH20N120D1

IXDH20N120D1

Opis: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDF604SIA

IXDF604SIA

Opis: IC GATE DVR 4A DIFF 8-SOIC

Producenci: IXYS Integrated Circuits Division
Na stanie
RFQ
IXDH35N60B

IXDH35N60B

Opis: IGBT 600V 60A 250W TO247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDI404SI

IXDI404SI

Opis: IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDF604SIATR

IXDF604SIATR

Opis: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC

Producenci: IXYS Integrated Circuits Division
Na stanie
RFQ
IXDI402PI

IXDI402PI

Opis: IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDI409PI

IXDI409PI

Opis: IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDF604SITR

IXDF604SITR

Opis: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC

Producenci: IXYS Integrated Circuits Division
Na stanie
RFQ
IXDH20N120

IXDH20N120

Opis: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDF604SI

IXDF604SI

Opis: IC GATE DVR 4A DUAL IN/NON 8SOIC

Producenci: IXYS Integrated Circuits Division
Na stanie
RFQ
IXDH30N120D1

IXDH30N120D1

Opis: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDI404PI

IXDI404PI

Opis: IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDI409SI

IXDI409SI

Opis: IC MOSFET DRVR LS 9A 8-SOIC

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDF604PI

IXDF604PI

Opis: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8DIP

Producenci: IXYS Integrated Circuits Division
Na stanie
RFQ
IXDH30N120

IXDH30N120

Opis: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXDI404SI-16

IXDI404SI-16

Opis: IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.