Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > IS43R83200B-6TL-TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6977010Obraz IS43R83200B-6TL-TR.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43R83200B-6TL-TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IS43R83200B-6TL-TR
  • Producent / marka
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.IS43R83200B-6TL-TR.pdf
    2.IS43R83200B-6TL-TR.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    66-TSOP II
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    2 (1 Year)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    256Mb (32M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • Częstotliwość zegara
    166MHz
  • Czas dostępu
    700ps

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IS43R83200B-6TL-TR”.
IS43R32800D-5BLI

IS43R32800D-5BLI

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200F-5TL

IS43R83200F-5TL

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200D-5TL

IS43R83200D-5TL

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R32800D-6BL-TR

IS43R32800D-6BL-TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R32800D-5BLI-TR

IS43R32800D-5BLI-TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R32800D-6BL

IS43R32800D-6BL

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R32800D-5BL-TR

IS43R32800D-5BL-TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200D-6TLI-TR

IS43R83200D-6TLI-TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200F-6TL-TR

IS43R83200F-6TL-TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200D-6TL-TR

IS43R83200D-6TL-TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R32800D-5BL

IS43R32800D-5BL

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200B-5TL-TR

IS43R83200B-5TL-TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200D-6TLI

IS43R83200D-6TLI

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200F-5TL-TR

IS43R83200F-5TL-TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200F-6TL

IS43R83200F-6TL

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200D-6TL

IS43R83200D-6TL

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200B-5TL

IS43R83200B-5TL

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200B-6TL

IS43R83200B-6TL

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R83200D-5TL-TR

IS43R83200D-5TL-TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS43R32800D-5BI-TR

IS43R32800D-5BI-TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.