Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > IS42S32160B-75BLI
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5184371Obraz IS42S32160B-75BLI.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32160B-75BLI

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IS42S32160B-75BLI
  • Producent / marka
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.IS42S32160B-75BLI.pdf
    2.IS42S32160B-75BLI.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologia
    SDRAM
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    90-LFBGA (13x11)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    90-LFBGA
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    512Mb (16M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 133MHz 5.5ns 90-LFBGA (13x11)
  • Częstotliwość zegara
    133MHz
  • Czas dostępu
    5.5ns

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IS42S32160B-75BLI”.
IS42S32160A-75BLI-TR

IS42S32160A-75BLI-TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-6BLI-TR

IS42S32160B-6BLI-TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-6BLI

IS42S32160B-6BLI

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75BL

IS42S32160B-75BL

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75TLI

IS42S32160B-75TLI

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75EBLI

IS42S32160B-75EBLI

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160A-75BL

IS42S32160A-75BL

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75BL-TR

IS42S32160B-75BL-TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75EBLI-TR

IS42S32160B-75EBLI-TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75ETLI-TR

IS42S32160B-75ETLI-TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-7BL

IS42S32160B-7BL

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160A-75BL-TR

IS42S32160A-75BL-TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75TL

IS42S32160B-75TL

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75BLI-TR

IS42S32160B-75BLI-TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160A-75BLI

IS42S32160A-75BLI

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-6TLI

IS42S32160B-6TLI

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75TL-TR

IS42S32160B-75TL-TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-6TLI-TR

IS42S32160B-6TLI-TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75TLI-TR

IS42S32160B-75TLI-TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
IS42S32160B-75ETLI

IS42S32160B-75ETLI

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.