Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > GPA025A120MN-ND
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1835937Obraz GPA025A120MN-ND.Global Power Technologies Group

GPA025A120MN-ND

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$1.729
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GPA025A120MN-ND
  • Producent / marka
    SemiQ
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    GPA025A120MN-ND.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.5V @ 15V, 25A
  • Stan testu
    600V, 25A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    57ns/240ns
  • Przełączanie Energy
    4.15mJ (on), 870µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3PN
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    480ns
  • Moc - Max
    312W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3
  • Inne nazwy
    1560-1218-1
    1560-1218-1-ND
    1560-1218-5
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT and Trench
  • brama Charge
    350nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3PN
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    75A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    50A

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GPA025A120MN-ND”.
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Opis: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Opis: DIODE GPP 8A D2PAK

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Opis: DIODE GPP 8A TO220AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Opis: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Producenci: Bergquist
Na stanie
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Opis: DIODE GPP 8A TO220AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Opis: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Opis: DIODE GPP 8A D2PAK

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Opis: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Opis: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Opis: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Opis: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Opis: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

Opis: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Opis: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Opis: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Opis: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.