Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > GP1M003A040PG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6231140Obraz GP1M003A040PG.Global Power Technologies Group

GP1M003A040PG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GP1M003A040PG
  • Producent / marka
    SemiQ
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    GP1M003A040PG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I-PAK
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.4 Ohm @ 1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    30W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    210pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    3.7nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    400V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GP1M003A040PG”.
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Opis: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GP1L57

GP1L57

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

Opis: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1FSV31TK0F

GP1FSV31TK0F

Opis: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

Opis: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

Opis: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

Opis: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GP1L52V

GP1L52V

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.