Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki - macierze > MURT10010R
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5001078Obraz MURT10010R.GeneSiC Semiconductor

MURT10010R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
50+
$59.119
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MURT10010R
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 50A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Three Tower
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    75ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Three Tower
  • Inne nazwy
    MURT10010RGN
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    4 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • Diode Configuration
    1 Pair Common Anode
  • szczegółowy opis
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    25µA @ 50V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    100A (DC)
MURT10020R

MURT10020R

Opis: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURS360SHE3_A/H

MURS360SHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
MURS360T3G

MURS360T3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
MURS3JB-TP

MURS3JB-TP

Opis: 3A,600V, SUPER FAST RECOVERY REC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MURS480ET3G

MURS480ET3G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 4A SMC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
MURT10060R

MURT10060R

Opis: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT10005R

MURT10005R

Opis: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT10040

MURT10040

Opis: DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT10010

MURT10010

Opis: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT20010

MURT20010

Opis: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT10060

MURT10060

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT10005

MURT10005

Opis: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT20005R

MURT20005R

Opis: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURS3GB-TP

MURS3GB-TP

Opis: 3A,400V, SUPER FAST RECOVERY REC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MURS3G-TP

MURS3G-TP

Opis: 3A,400V, SUPER FAST RECOVERY REC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MURT10040R

MURT10040R

Opis: DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURS360SHE3_A/I

MURS360SHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
MURT20010R

MURT20010R

Opis: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT10020

MURT10020

Opis: DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT20005

MURT20005

Opis: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść