Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki - macierze > MUR40040CT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2443489

MUR40040CT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
25+
$61.69
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MUR40040CT
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE MODULE 400V 400A 2TOWER
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 125A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Twin Tower
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Twin Tower
  • Inne nazwy
    MUR40040CTGN
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    4 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • Diode Configuration
    1 Pair Common Cathode
  • szczegółowy opis
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400V 400A (DC) Chassis Mount Twin Tower
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    25µA @ 50V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    400A (DC)
MUR360SHR7G

MUR360SHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
MUR405GP-TP

MUR405GP-TP

Opis: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MUR410

MUR410

Opis: DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
MUR360SHM6G

MUR360SHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
MUR40040CTR

MUR40040CTR

Opis: DIODE MODULE 400V 400A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MUR40060CT

MUR40060CT

Opis: DIODE MODULE 600V 400A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MUR40010CT

MUR40010CT

Opis: DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MUR4100-TP

MUR4100-TP

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MUR4100E

MUR4100E

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
MUR405G

MUR405G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
MUR360SBHR5G

MUR360SBHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
MUR405

MUR405

Opis: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
MUR40005CTR

MUR40005CTR

Opis: DIODE MODULE 50V 400A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MUR40010CTR

MUR40010CTR

Opis: DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MUR360SBHM4G

MUR360SBHM4G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
MUR40020CT

MUR40020CT

Opis: DIODE MODULE 200V 400A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MUR410-TP

MUR410-TP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MUR40005CT

MUR40005CT

Opis: DIODE MODULE 50V 400A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MUR40020CTR

MUR40020CTR

Opis: DIODE MODULE 200V 400A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MUR40060CTR

MUR40060CTR

Opis: DIODE MODULE 600V 400A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść