Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki - macierze > MBR600200CT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3560850Obraz MBR600200CT.GeneSiC Semiconductor

MBR600200CT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
25+
$80.865
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MBR600200CT
  • Producent / marka
    GeneSiC Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MBR600200CT.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    920mV @ 300A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Twin Tower
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Twin Tower
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    4 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Schottky
  • Diode Configuration
    1 Pair Common Cathode
  • szczegółowy opis
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 300A Chassis Mount Twin Tower
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    3mA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    300A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MBR600200CT”.
MBR5H150VPC-E1

MBR5H150VPC-E1

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MBR60020CTR

MBR60020CTR

Opis: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR60030CTRL

MBR60030CTRL

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR5H150VPB-E1

MBR5H150VPB-E1

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MBR60035CT

MBR60035CT

Opis: DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR60030CT

MBR60030CT

Opis: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR600200CTR

MBR600200CTR

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR5H150VPTR-G1

MBR5H150VPTR-G1

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MBR5H150VPTR-E1

MBR5H150VPTR-E1

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MBR600150CTR

MBR600150CTR

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR600100CT

MBR600100CT

Opis: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR600100CTR

MBR600100CTR

Opis: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR5H150VPB-G1

MBR5H150VPB-G1

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MBR600150CT

MBR600150CT

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR60020CTL

MBR60020CTL

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR60020CT

MBR60020CT

Opis: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR5H150VPA-G1

MBR5H150VPA-G1

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MBR60020CTRL

MBR60020CTRL

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR60030CTR

MBR60030CTR

Opis: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
MBR60030CTL

MBR60030CTL

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.