Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5831R
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6854451

1N5831R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$13.291
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5831R
  • Producent / marka
    GeneSiC Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.1N5831R.pdf
    2.1N5831R.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    580mV @ 25A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    35V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-4
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Inne nazwy
    1N5831RGN
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Schottky, Reverse Polarity
  • szczegółowy opis
    Diode Schottky, Reverse Polarity 35V 25A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    2mA @ 20V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    25A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    1N5831R

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N5831R”.
1N5833

1N5833

Opis: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5834

1N5834

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5833

1N5833

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5831

1N5831

Opis: DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5834

1N5834

Opis: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5829R

1N5829R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5829

1N5829

Opis: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5829

1N5829

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5830

1N5830

Opis: DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5832

1N5832

Opis: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5907

1N5907

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5832R

1N5832R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5830

1N5830

Opis: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5828

1N5828

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5828R

1N5828R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5832

1N5832

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5830R

1N5830R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5833R

1N5833R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5834R

1N5834R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5827R

1N5827R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.