Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Izolatory > Izolatory - Sterowniki bramek > SI8261BCC-C-IS
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
43664

SI8261BCC-C-IS

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.46
25+
$1.41
100+
$1.356
1000+
$1.25
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI8261BCC-C-IS
  • Producent / marka
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI8261BCC-C-IS.pdf
  • Napięcie - Dostawa
    13.5 V ~ 30 V
  • Napięcie - Izolacja
    3750Vrms
  • Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)
    2.8V (Max)
  • Technologia
    Capacitive Coupling
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOIC
  • Seria
    Automotive, AEC-Q100
  • Czas narastania / spadku (typ)
    5.5ns, 8.5ns
  • Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.)
    28ns
  • Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.)
    60ns, 50ns
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    336-2420-5
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 125°C
  • Liczba kanałów
    1
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
  • Obecny - Szczytowa wydajność
    4A
  • High Output, Niska - Bieżąca
    500mA, 1.2A
  • Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)
    30mA
  • Współczynnik przejściowy (min)
    35kV/µs
  • Zatwierdzenia
    CQC, CSA, UR, VDE

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI8261BCC-C-IS”.
SI8261BCD-C-ISR

SI8261BCD-C-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BCC-C-ISR

SI8261BCC-C-ISR

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BCC-C-IPR

SI8261BCC-C-IPR

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BCA-C-ISR

SI8261BCA-C-ISR

Opis: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BCD-C-IS

SI8261BCD-C-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BBC-C-IS

SI8261BBC-C-IS

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BCD-C-IMR

SI8261BCD-C-IMR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BBD-C-IM

SI8261BBD-C-IM

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BBD-C-IMR

SI8261BBD-C-IMR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BBC-C-ISR

SI8261BBC-C-ISR

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BCC-C-IP

SI8261BCC-C-IP

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI826XDIP8-KIT

SI826XDIP8-KIT

Opis: KIT EVAL SI826X IN GW DIP-8

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI826XSAMP-KIT

SI826XSAMP-KIT

Opis: KIT SI826X OPTO DVR REPL SAMPLE

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8271AB-IS

SI8271AB-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI826XSOIC8-KIT

SI826XSOIC8-KIT

Opis: KIT EVAL SI826X IN 8-SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BCA-C-IS

SI8261BCA-C-IS

Opis: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BBD-C-ISR

SI8261BBD-C-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BBD-C-IS

SI8261BBD-C-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI826XSDIP6-KIT

SI826XSDIP6-KIT

Opis: KIT EVAL SI826X IN SO-6

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8261BCD-C-IM

SI8261BCD-C-IM

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.