Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQS840EN-T1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2095183Obraz SQS840EN-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQS840EN-T1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.97
10+
$0.846
100+
$0.652
500+
$0.483
1000+
$0.387
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQS840EN-T1_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 16A TO263
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQS840EN-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    20 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    33W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Inne nazwy
    SQS840EN-T1_GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1031pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    22.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQS840EN-T1_GE3”.
SQS401EN-T1_GE3

SQS401EN-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 16A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS481ENW-T1_GE3

SQS481ENW-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS966ENW-T1_GE3

SQS966ENW-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS460ENW-T1_GE3

SQS460ENW-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS462EN-T1_GE3

SQS462EN-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS423EN-T1_GE3

SQS423EN-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS401ENW-T1_GE3

SQS401ENW-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS850EN-T1_GE3

SQS850EN-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQSA80ENW-T1_GE3

SQSA80ENW-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 18A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS944ENW-T1_GE3

SQS944ENW-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS482ENW-T1_GE3

SQS482ENW-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS24B5001GSLF

SQS24B5001GSLF

Opis: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

Producenci: BI Technologies / TT Electronics
Na stanie
RFQ
SQS405ENW-T1_GE3

SQS405ENW-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS24B5101GSLF

SQS24B5101GSLF

Opis: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

Producenci: BI Technologies / TT Electronics
Na stanie
RFQ
SQS420EN-T1_GE3

SQS420EN-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS484ENW-T1_GE3

SQS484ENW-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 16A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS484EN-T1_GE3

SQS484EN-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS460EN-T1_GE3

SQS460EN-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS482EN-T1_GE3

SQS482EN-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQS405EN-T1_GE3

SQS405EN-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.