Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQM50N04-4M1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5467187Obraz SQM50N04-4M1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQM50N04-4M1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
800+
$1.405
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQM50N04-4M1_GE3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 50A TO-263
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263 (D²Pak)
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.1 mOhm @ 30A, 10V
  • Strata mocy (max)
    150W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    SQM50N04-4M1-GE3
    SQM50N04-4M1-GE3-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6715pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    105nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)
SQM50N04-4M0L_GE3

SQM50N04-4M0L_GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SQM500JB-91R

SQM500JB-91R

Opis: RES WW 5W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM60030E_GE3

SQM60030E_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SQM50P03-07_GE3

SQM50P03-07_GE3

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SQM500JB-82R

SQM500JB-82R

Opis: RES WW 5W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM700JB-0R11

SQM700JB-0R11

Opis: RES WW 7W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM500JB-91K

SQM500JB-91K

Opis: RES WW 5W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM500JB-9R1

SQM500JB-9R1

Opis: RES WW 5W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM500JB-8K2

SQM500JB-8K2

Opis: RES WW 5W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM70060EL_GE3

SQM70060EL_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SQM60N06-15_GE3

SQM60N06-15_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 56A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SQM700JB-0R1

SQM700JB-0R1

Opis: RES WW 7W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM500JB-8R2

SQM500JB-8R2

Opis: RES WW 5W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM50P04-09L_GE3

SQM50P04-09L_GE3

Opis: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SQM50P06-15L_GE3

SQM50P06-15L_GE3

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SQM500JB-910R

SQM500JB-910R

Opis: RES WW 5W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM60N20-35_GE3

SQM60N20-35_GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 60A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SQM500JB-82K

SQM500JB-82K

Opis: RES WW 5W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM500JB-9K1

SQM500JB-9K1

Opis: RES WW 5W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
SQM50P08-25L_GE3

SQM50P08-25L_GE3

Opis: MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść