Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQM110P04-04L-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3346048Obraz SQM110P04-04L-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQM110P04-04L-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQM110P04-04L-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 40V 120A TO263
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQM110P04-04L-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263 (D2Pak)
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4 mOhm @ 30A, 10V
  • Strata mocy (max)
    375W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    13980pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQM110P04-04L-GE3”.
SQM10SJB-82K

SQM10SJB-82K

Opis: RES WW 10W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
RFQ
SQM10SJB-9R1

SQM10SJB-9R1

Opis: RES WW 10W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
RFQ
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 120A TO-263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQM120N06-06_GE3

SQM120N06-06_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 120A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQM10SJB-8R2

SQM10SJB-8R2

Opis: RES WW 10W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
RFQ
SQM10SJB-9K1

SQM10SJB-9K1

Opis: RES WW 10W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
RFQ
SQM120N06-3M5L_GE3

SQM120N06-3M5L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQM10SJB-910R

SQM10SJB-910R

Opis: RES WW 10W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
RFQ
SQM10SJB-82R

SQM10SJB-82R

Opis: RES WW 10W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
RFQ
SQM120N04-1M7L_GE3

SQM120N04-1M7L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQM10SJB-91K

SQM10SJB-91K

Opis: RES WW 10W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
RFQ
SQM120N04-1M4L_GE3

SQM120N04-1M4L_GE3

Opis: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQM10SJB-91R

SQM10SJB-91R

Opis: RES WW 10W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
RFQ
SQM120N10-09_GE3

SQM120N10-09_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQM10SJB-8K2

SQM10SJB-8K2

Opis: RES WW 10W 5% TH

Producenci: Yageo
Na stanie
RFQ
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.