Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQD10N30-330H_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2331560Obraz SQD10N30-330H_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD10N30-330H_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.696
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQD10N30-330H_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    SQD10N30-330H_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252AA
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    330 mOhm @ 14A, 10V
  • Strata mocy (max)
    107W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2190pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    47nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    300V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 300V 10A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQD10N30-330H_GE3”.
SQD07N25-350H_GE3

SQD07N25-350H_GE3

Opis: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD100N02-3M5L_GE3

SQD100N02-3M5L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD25N06-22L_T4GE3

SQD25N06-22L_T4GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD25N06-22L_GE3

SQD25N06-22L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 25A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD19P06-60L_T4GE3

SQD19P06-60L_T4GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD100N04-3M6L_GE3

SQD100N04-3M6L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD25N15-52_GE3

SQD25N15-52_GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 25A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD100N03-3M4_GE3

SQD100N03-3M4_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD100N04-3M6_GE3

SQD100N04-3M6_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD100N03-3M2L_GE3

SQD100N03-3M2L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD40061EL_GE3

SQD40061EL_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 40V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD15N06-42L_GE3

SQD15N06-42L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.