Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQ2325ES-T1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4966138

SQ2325ES-T1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.81
10+
$0.682
100+
$0.512
500+
$0.375
1000+
$0.29
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQ2325ES-T1_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQ2325ES-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-236 (SOT-23)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.77 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    3W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    SQ2325ES-T1_GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    250pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    150V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 150V 840mA (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    840mA (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQ2325ES-T1_GE3”.
SQ2362ES-T1_GE3

SQ2362ES-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2360EES-T1-GE3

SQ2360EES-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.3A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2318AES-T1_GE3

SQ2318AES-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2309ES-T1_GE3

SQ2309ES-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 60V SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2303PNF

SQ2303PNF

Opis: RF ANT 2.4GHZ PANEL N FEM CHASS

Producenci: Laird Technologies - Antennas
Na stanie
RFQ
SQ2303P36RTN

SQ2303P36RTN

Opis: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Producenci: Laird Technologies - Antennas
Na stanie
RFQ
SQ2303P72RTN

SQ2303P72RTN

Opis: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Producenci: Laird Technologies - Antennas
Na stanie
RFQ
SQ2361EES-T1-GE3

SQ2361EES-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2355

SQ2355

Opis: BIT POWER SQUARE #2 3.5"

Producenci: Klein Tools
Na stanie
RFQ
SQ2351ES-T1_GE3

SQ2351ES-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 20V SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2337ES-T1_GE3

SQ2337ES-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 80V SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2361ES-T1_GE3

SQ2361ES-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2361AEES-T1_GE3

SQ2361AEES-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2315ES-T1_GE3

SQ2315ES-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 12V SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2319ES-T1-GE3

SQ2319ES-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2348ES-T1_GE3

SQ2348ES-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ2310ES-T1_GE3

SQ2310ES-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.