Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIS476DN-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

12536

Obraz SIS476DN-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS476DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$1.41

10+

$1.248

100+

$0.987

500+

$0.765

1000+

$0.604

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SIS476DN-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SIS476DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (maks.)

+20V, -16V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® 1212-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

2.5 mOhm @ 15A, 10V
Strata mocy (max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Opakowania

Cut Tape (CT)
Package / Case

PowerPAK® 1212-8
Inne nazwy

SIS476DN-T1-GE3CT
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

32 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

3595pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

77nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SIS476DN-T1-GE3”.

SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS472ADN-T1-GE3

SIS472ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Opis: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Opis: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS454DN-T1-GE3

SIS454DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.