Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIRA90DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5850475

SIRA90DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.575
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIRA90DP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIRA90DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    +20V, -16V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    0.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    104W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    10180pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    153nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIRA90DP-T1-GE3”.
SIRA88DP-T1-GE3

SIRA88DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRC04DP-T1-GE3

SIRC04DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA64DP-T1-GE3

SIRA64DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 40V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA66DP-T1-GE3

SIRA66DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA96DP-T1-GE3

SIRA96DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA72DP-T1-GE3

SIRA72DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRC06DP-T1-GE3

SIRC06DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRC16DP-T1-GE3

SIRC16DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRB40DP-T1-GE3

SIRB40DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA80DP-T1-RE3

SIRA80DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA90DP-T1-RE3

SIRA90DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRC10DP-T1-GE3

SIRC10DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.