Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIRA50DP-T1-RE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

1124403

Obraz SIRA50DP-T1-RE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA50DP-T1-RE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$1.91

10+

$1.725

100+

$1.386

500+

$1.078

1000+

$0.893

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SIRA50DP-T1-RE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SIRA50DP-T1-RE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (maks.)

+20V, -16V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® SO-8
Seria

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ ID, Vgs

1 mOhm @ 20A, 10V
Strata mocy (max)

6.25W (Ta), 100W (Tc)
Opakowania

Original-Reel®
Package / Case

PowerPAK® SO-8
Inne nazwy

SIRA50DP-T1-RE3DKR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

8445pF @ 20V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

194nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

40V
szczegółowy opis

N-Channel 40V 62.5A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

62.5A (Ta), 100A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SIRA50DP-T1-RE3”.

SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA52DP-T1-RE3

SIRA52DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA64DP-T1-GE3

SIRA64DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 40V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.